گھر > مصنوعات > مقناطیسی ماڈیولز > 1000 بیس-ٹی مقناطیسی ماڈیولز > 1000Base-T ایتھرنیٹ ٹرانسفارمر

مصنوعات

نئی مصنوعات

1000Base-T ایتھرنیٹ ٹرانسفارمر

JASN چین مینوفیکچرر اور سپلائر ہے جو بنیادی طور پر کئی سالوں کے تجربے کے ساتھ 1000Base-T ایتھرنیٹ ٹرانسفارمر تیار کرتا ہے۔ PN G24C28SQ PoE آپشن اور انڈسٹری ایپلی کیشن کو سپورٹ کر سکتا ہے۔

ماڈل: G24C28SQ

ماڈل:G24C28SQ

انکوائری بھیجیں۔

پی ڈی ایف ڈاؤن لوڈ کریں۔

مصنوعات کی وضاحت

جے اے ایس این1000Base-T ایتھرنیٹ ٹرانسفارمرخصوصی ڈیزائن اور عملی کارکردگی اور مسابقتی قیمت کے بارے میں مزید معلومات کے لیے1000Base-T ایتھرنیٹ ٹرانسفارمر، براہ کرم ہم سے بلا جھجھک رابطہ کریں۔

فیچر

IEEE802.3ab&802.3کے معیار کے مطابق۔
720mA موجودہ صلاحیت کے ساتھ End-span PoE ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہے۔
RoHS کی ضروریات کو پورا کریں۔
آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد: -40 سے + â 85â۔
اسٹوریج درجہ حرارت کی حد: -40â سے +125â

الیکٹریکل نردجیکرن @ 25â

OCL:	120uH منٹ @100KHz/0.1V 28mA DC تعصب کے ساتھ (-40â+85â)
ہائی پوٹ:	1500Vrms
موڑ کا تناسب:	1:1±3%
LK:	0.5uH زیادہ سے زیادہ @100KHz/0.2V
Cw/w	35PF میکس @100KHz/0.2V
D.C.R:	1.2 اوہم زیادہ سے زیادہ
شامل کرنے کا نقصان:	1-100MHz: -1.0dB زیادہ سے زیادہ
کراس ٹاک:	30MHz		60MHz			100MHz
	-45dB منٹ		-40dB منٹ			-35dB منٹ
واپسی کا نقصان:	1-30MHz	40MHz		50MHz	60-80MHZ		80-100MHZ
	-18dB منٹ	-14.4dB منٹ		-13.1dB منٹ	-12dB منٹ		-10dB منٹ
ڈی سی ایم آر	30MHz		60MHz			100MHz
	-43dB منٹ		-37dB منٹ			-33dB منٹ